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IRF9Z20PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IRF9Z20PBF 数据手册 (7 页)

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IRF9Z20PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

漏源极电阻

0.28 Ω

极性

P-Channel

功耗

40 W

漏源极电压(Vds)

-50.0 V

连续漏极电流(Ids)

-9.70 A

上升时间

57 ns

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

40 W

IRF9Z20PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

10.51 mm

宽度

4.65 mm

高度

15.49 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

IRF9Z20PBF 符合标准

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