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IRF9Z24NSPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

INFINEON IRF9Z24NSPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF9Z24NSPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRF9Z24NSPBF 数据手册 (11 页)

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IRF9Z24NSPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

额定功率

45 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.175 Ω

极性

P-Channel

功耗

45 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

55 V

连续漏极电流(Ids)

12A

上升时间

55 ns

输入电容值(Ciss)

350pF @25V(Vds)

下降时间

37 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3800 mW

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IRF9Z24NSPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Rail, Tube

长度

10.67 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF9Z24NSPBF 符合标准

IRF9Z24NSPBF 概述

IRF9Z24NSPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.38 MByte

IRF9Z24NSPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF9Z24NSPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.3 MByte

IRF9Z24NSPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF9Z24NSPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF9Z24NSPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.14 MByte

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