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IRF9Z24 数据手册

型号系列:
IRF9Z24 系列
分类:
MOS管
更新于: 2023/01/13 02:01:09 (UTC + 8)

IRF9Z24 MOS管 数据手册

#1
IRF9Z24NSTRLPBF

IRF9Z24NSTRLPBF

数据手册 (11 )
2.7
Infineon(英飞凌)
#2
IRF9Z24NSPBF

IRF9Z24NSPBF

数据手册 (11 )
1.6
Infineon(英飞凌)
#3
IRF9Z24NSPBF

IRF9Z24NSPBF

数据手册 (11 )
1.3
International Rectifier(国际整流器)
#4
IRF9Z24NSTRLPBF

IRF9Z24NSTRLPBF

数据手册 (11 )
1.1
International Rectifier(国际整流器)

IRF9Z24 数据手册 MOS管

11
International Rectifier(国际整流器)
11
International Rectifier(国际整流器)
11
International Rectifier(国际整流器)
11
International Rectifier(国际整流器)
11
Vishay Siliconix
11
Samsung(三星)
9
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF9Z24NPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -55 V, 0.175 ohm, -10 V, -4 V
9
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF9Z24NPBF  场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 12A, TO-220AB 新
9
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
9
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRF9Z24PBF.  晶体管, MOSFET, P沟道, 9.7 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V
8
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
8
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRF9Z24SPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V
8
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
8
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
8
Vishay Siliconix
6
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET

IRF9Z24 - International Rectifier(国际整流器) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-11.0 A
封装
TO-220
漏源极电压(Vds)
60.0 V
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