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IRF9Z24NSTRLPBF
0.474
IRF9Z24NSTRLPBF 数据手册 (11 页)
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IRF9Z24NSTRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
极性
P-Channel
功耗
3.8 W
输入电容
350 pF
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
12A
上升时间
55 ns
输入电容值(Ciss)
350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.8 W
下降时间
37 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.8W (Ta), 45W (Tc)

IRF9Z24NSTRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.67 mm
宽度
11.3 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF9Z24NSTRLPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.38 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRF9Z24 数据手册

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功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Samsung(三星)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
Fairchild(飞兆/仙童)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET POWER MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF9Z24NPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -55 V, 0.175 ohm, -10 V, -4 V
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