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IRF9Z30PBF
1.645
IRF9Z30PBF 数据手册 (8 页)
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IRF9Z30PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.093 Ω
极性
P-Channel
功耗
74 W
漏源极电压(Vds)
50 V
连续漏极电流(Ids)
-18.0 A
上升时间
110 ns
输入电容值(Ciss)
900pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
74 W
下降时间
64 ns
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
74W (Tc)

IRF9Z30PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃
最小包装数量
50

IRF9Z30PBF 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.25 MByte
VISHAY(威世)
3 页 / 0.14 MByte

IRF9Z30 数据手册

Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY(威世)
VISHAY(威世)
IRF9Z30PBF 管装
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRF9Z30PBF  晶体管, MOSFET, HEXFET, P沟道, -18 A, -50 V, 0.093 ohm, -10 V, -4 V 新
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
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