￥ 1.212

IRFB11N50APBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFB11N50APBF 数据手册 (8 页)

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IRFB11N50APBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

11.0 A

封装

TO-220-3

额定功率

170 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.52 Ω

极性

N-Channel

功耗

170 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

连续漏极电流(Ids)

11.0 A

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

1423pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

170 W

下降时间

28 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

170 W

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IRFB11N50APBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.41 mm

宽度

4.7 mm

高度

9.01 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

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IRFB11N50APBF 符合标准

IRFB11N50APBF 概述

IRFB11N50APBF 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.13 MByte

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