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IRFB20N50KPBF
3.971
IRFB20N50KPBF 数据手册 (9 页)
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IRFB20N50KPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.21 Ω
极性
N-Channel
功耗
280 W
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
20.0 A
上升时间
74 ns
输入电容值(Ciss)
2870pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
280 W
下降时间
33 ns
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
280W (Tc)

IRFB20N50KPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube

IRFB20N50KPBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.3 MByte
VISHAY(威世)
9 页 / 0.31 MByte

IRFB20N50 数据手册

VISHAY(威世)
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Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFB20N50KPBF  场效应管, MOSFET, N沟道
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International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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