￥ 0.233

NTMFS4C09NT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SO-FL-8

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTMFS4C09NT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 30 V, 0.0046 ohm, 10 V, 2.1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTMFS4C09NT1G 数据手册 (7 页)

封装尺寸在7 页

NTMFS4C09NT1G 数据手册 (7 页)

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NTMFS4C09NT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

5 Pin

封装

SO-FL-8

通道数

1 Channel

针脚数

5 Position

漏源极电阻

0.0046 Ω

极性

N-Channel

功耗

25.5 W

阈值电压

2.1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

16.4A

上升时间

32 ns

输入电容值(Ciss)

1252pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

760 mW

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

760mW (Ta), 25.5W (Tc)

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NTMFS4C09NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.1 mm

宽度

5.1 mm

高度

1.05 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTMFS4C09NT1G 符合标准

NTMFS4C09NT1G 概述