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IRFB23N15DPBF
0.67
IRFB23N15DPBF 数据手册 (12 页)
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IRFB23N15DPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
150 V
额定电流
23.0 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
0.09 Ω
极性
N-Channel
功耗
136 W
零部件系列
IRFB23N15D
阈值电压
5.5 V
输入电容
1200pF @25V
漏源极电压(Vds)
150 V
漏源击穿电压
150 V
连续漏极电流(Ids)
23.0 A
上升时间
32.0 ns
热阻
1.1℃/W (RθJC)
输入电容值(Ciss)
1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.8 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRFB23N15DPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
10.54 mm
高度
15.24 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRFB23N15DPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
12 页 / 0.14 MByte
International Rectifier(国际整流器)
20 页 / 2.6 MByte
International Rectifier(国际整流器)
12 页 / 0.27 MByte

IRFB23N15 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 150V , RDS(ON)最大值= 0.090ohm ,ID = 23A ) Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFB23N15DPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 150 V, 90 mohm, 10 V, 5.5 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,150V,23A,90mΩ@10V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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