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IRFB3307ZGPBF
0.783
IRFB3307ZGPBF 数据手册 (8 页)
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IRFB3307ZGPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
极性
N-CH
功耗
230W (Tc)
漏源极电压(Vds)
75 V
连续漏极电流(Ids)
120A
上升时间
64 ns
输入电容值(Ciss)
4750pF @50V(Vds)
下降时间
65 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
230W (Tc)

IRFB3307ZGPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFB3307ZGPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.23 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.29 MByte

IRFB3307 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFB3307ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 5.8 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
75V,5.8mΩ,120A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
N 沟道 75 V 230 W 79 nC 功率 MosFet 法兰安装 - TO-220AB-3
International Rectifier(国际整流器)
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