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IRFB4115PBF
0.501
IRFB4115PBF 数据手册 (9 页)
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IRFB4115PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
380 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0093 Ω
极性
N-Channel
功耗
380 W
阈值电压
5 V
输入电容
5270 pF
漏源极电压(Vds)
150 V
漏源击穿电压
150 V
连续漏极电流(Ids)
104A
上升时间
73 ns
输入电容值(Ciss)
5270pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
380 W
下降时间
39 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
380000 mW

IRFB4115PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
9.02 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFB4115PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.1 MByte

IRFB4115 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFB4115PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 150 V, 0.0093 ohm, 20 V, 5 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,150V,104A,11mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 150V 104A
International Rectifier(国际整流器)
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