￥ 10.679

IRFB7434GPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFB7434GPBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRFB7434GPBF 数据手册 (9 页)

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IRFB7434GPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

1.25 mΩ

功耗

294 W

阈值电压

2.2 V

漏源极电压(Vds)

40 V

漏源击穿电压

40 V

上升时间

68 ns

输入电容值(Ciss)

10820pF @25V(Vds)

下降时间

68 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

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IRFB7434GPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Last Time Buy

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

15.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IRFB7434GPBF 符合标准

IRFB7434GPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.28 MByte

IRFB7434GPBF 其他数据使用手册

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IRFB7434GPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

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