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IRFBA90N20DPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFBA90N20DPBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRFBA90N20DPBF 数据手册 (9 页)

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IRFBA90N20DPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定功率

650 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.023 Ω

极性

N-CH

功耗

650 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

连续漏极电流(Ids)

98A

上升时间

160 ns

输入电容值(Ciss)

6080pF @25V(Vds)

下降时间

77 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

650W (Tc)

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IRFBA90N20DPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

11 mm

宽度

5 mm

高度

16.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFBA90N20DPBF 符合标准

IRFBA90N20DPBF 概述