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IRFR3910PBF
0.475
IRFR3910PBF 数据手册 (11 页)
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IRFR3910PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
52 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.115 Ω
极性
N-Channel
功耗
52 W
阈值电压
4 V
输入电容
640pF @25V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
16A
上升时间
27 ns
输入电容值(Ciss)
640pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
79 W
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
79W (Tc)

IRFR3910PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFR3910PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.38 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.15 MByte

IRFR3910 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 100V ,导通电阻Rds = 0.115ohm ,ID = 16A) Power MOSFET(Vdss=100V, Rds=0.115ohm, Id=16A)
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR3910TRLPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 16A, DPAK
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR3910PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 100 V, 0.115 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFR3910TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 16A, D-PAK
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFR3910PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 16A, D-PAK 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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