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IRFBE20PBF
0.285
IRFBE20PBF 数据手册 (9 页)
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IRFBE20PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
功耗
54W (Tc)
漏源极电压(Vds)
800 V
输入电容值(Ciss)
530pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
54 W
耗散功率(Max)
54W (Tc)

IRFBE20PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFBE20PBF 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 1.11 MByte
Vishay Siliconix
3 页 / 0.14 MByte
Vishay Siliconix
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IRFBE20 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 800V , RDS(ON) = 6.5ohm ,ID = 1.8A ) Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=6.5ohm, Id=1.8A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFBE20PBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 800 V, 6.5 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
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