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IRFBE20PBF
0.806
IRFBE20PBF 数据手册 (8 页)
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IRFBE20PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
800 V
额定电流
1.80 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
6.5 Ω
极性
N-Channel
功耗
54 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
800 V
漏源击穿电压
800 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
1.80 A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRFBE20PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRFBE20PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.24 MByte
International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.99 MByte

IRFBE20 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 800V , RDS(ON) = 6.5ohm ,ID = 1.8A ) Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=6.5ohm, Id=1.8A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFBE20PBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 800 V, 6.5 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
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