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IRFBF30PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-220

描述:

VISHAY IRFBF30PBF 场效应管, MOSFET, N沟道

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFBF30PBF 数据手册 (8 页)

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IRFBF30PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220

额定功率

125 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

3.7 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

900 V

连续漏极电流(Ids)

3.60 A

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

1200pF @25V(Vds)

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125 W

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IRFBF30PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

10.41 mm

宽度

4.7 mm

高度

9.01 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IRFBF30PBF 符合标准

IRFBF30PBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

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