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IRFBF30PBF
2.72
IRFBF30PBF 数据手册 (9 页)
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IRFBF30PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-220
漏源极电阻
3.7 Ω
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
900 V

IRFBF30PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

IRFBF30PBF 数据手册

Vishay Intertechnology
9 页 / 0.99 MByte

IRFBF30 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 900V , RDS(ON) = 3.7ohm ,ID = 3.6A ) Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=3.6A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFBF30PBF  场效应管, MOSFET, N沟道
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
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