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IRFBF30S
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IRFBF30S 数据手册 (9 页)
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IRFBF30S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-263-3
功耗
125W (Tc)
漏源极电压(Vds)
900 V
输入电容值(Ciss)
1200pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
125W (Tc)

IRFBF30S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFBF30S 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 0.25 MByte

IRFBF30 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 900V , RDS(ON) = 3.7ohm ,ID = 3.6A ) Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=3.6A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFBF30PBF  场效应管, MOSFET, N沟道
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
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