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IRFBG20PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-220

描述:

N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFBG20PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRFBG20PBF 数据手册 (9 页)

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IRFBG20PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

1.00 kV

额定电流

1.40 A

封装

TO-220

额定功率

54 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

11.5 Ω

极性

N-Channel

功耗

50 W

阈值电压

4 V

输入电容

500pF @25V

漏源极电压(Vds)

1 kV

漏源击穿电压

1000 V

连续漏极电流(Ids)

1.40 A

上升时间

17.0 ns

输入电容值(Ciss)

500pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

54 W

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IRFBG20PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

10.41 mm

宽度

4.7 mm

高度

9.01 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IRFBG20PBF 符合标准

IRFBG20PBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 1.21 MByte

IRFBG20PBF 其他数据使用手册

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