器件3D模型

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IRF7832ZPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

N沟道MOS管

封装:

SOIC

描述:

INFINEON IRF7832ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 3.8 mohm, 10 V, 2.35 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF7832ZPBF 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页

IRF7832ZPBF 数据手册 (10 页)

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IRF7832ZPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0038 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.5 W

零部件系列

IRF7832Z

阈值电压

2.35 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

21.0 A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

3860pF @15V(Vds)

下降时间

5.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

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IRF7832ZPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

End of Life

包装方式

Cut Tape (CT)

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IRF7832ZPBF 符合标准

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