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IRFBG30PBF 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFBG30PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRFBG30PBF 数据手册 (9 页)

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IRFBG30PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

功耗

125 W

漏源极电压(Vds)

1000 V

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

980pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

125 W

下降时间

29 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125W (Tc)

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IRFBG30PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRFBG30PBF 符合标准

IRFBG30PBF 概述

IRFBG30PBF 数据手册

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