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IRFBG30 数据手册

型号系列:
IRFBG30 系列
分类:
-
描述:
功率MOSFET Power MOSFET
更新于: 2023/01/13 01:42:28 (UTC + 8)

IRFBG30 - 数据手册

#1
IRFBG30PBF

IRFBG30PBF

数据手册 (10 )
1.6
Vishay Siliconix
#2
IRFBG30PBF

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数据手册 (9 )
4.6
VISHAY(威世)
#3
IRFBG30PBF

IRFBG30PBF

数据手册 (9 )
1.9
Vishay Semiconductor(威世)
#4
IRFBG30PBF

IRFBG30PBF

数据手册 (9 )
0.9
International Rectifier(国际整流器)

IRFBG30 数据手册 -

9
Vishay Intertechnology
8
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
8
Vishay Siliconix

IRFBG30 - VISHAY(威世) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220
极性
N-CH
功耗
125 W
漏源极电压(Vds)
1000 V
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