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IRFBG30PBF
1.3
IRFBG30PBF 数据手册 (3 页)
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IRFBG30PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220
漏源极电阻
5 Ω
功耗
125 W
输入电容
980pF @25V
漏源极电压(Vds)
1000 V
漏源击穿电压
1000 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRFBG30PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
长度
10.51 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRFBG30PBF 数据手册

Vishay Precision Group
3 页 / 0.81 MByte

IRFBG30 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 1000V , RDS(ON) = 5.0ohm ,ID = 3.1A ) Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Precision Group
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