￥ 0.733

IRFD110PBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

DIP-4

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFD110PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRFD110PBF 数据手册 (9 页)

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IRFD110PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

1.00 A

封装

DIP-4

额定功率

1.3 W

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.54 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.3 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

1.00 A

上升时间

16 ns

输入电容值(Ciss)

180pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.3 W

下降时间

9.4 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.3 W

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IRFD110PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

5 mm

宽度

6.29 mm

高度

3.37 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

最小包装数量

2500

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IRFD110PBF 符合标准

IRFD110PBF 概述

IRFD110PBF 数据手册

VISHAY（威世）

9 页 / 0.14 MByte

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