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IRFD9024PBF
0.609
IRFD9024PBF 数据手册 (9 页)
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IRFD9024PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-1.60 A
封装
DIP-4
额定功率
1.3 W
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.28 Ω
极性
P-Channel
功耗
1.3 W
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
-60.0 V
连续漏极电流(Ids)
-1.60 A
上升时间
68 ns
输入电容值(Ciss)
570pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.3 W
下降时间
29 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.3 W

IRFD9024PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
5 mm
宽度
6.29 mm
高度
3.37 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃
最小包装数量
2500

IRFD9024PBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 1.81 MByte
VISHAY(威世)
10 页 / 1.65 MByte

IRFD9024 数据手册

Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(ON) = 0.28ohm ,ID = -1.6A ) Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-1.6A)
VISHAY(威世)
P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFD9024PBF.  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
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