STD10N60M2

￥ 0.432

STD10N60M2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STD10N60M2 数据手册 (29 页)

或点击图片查看大图

STD10N60M2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.55 Ω

功耗

85 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

400pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

85 W

下降时间

13.2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

85W (Tc)

STD10N60M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STD10N60M2 符合标准

STD10N60M2 海关信息

STD10N60M2 概述

STD10N60M2 数据手册

STD10N60M2 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

29 页 / 1.24 MByte

STD10N60M2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

24 页 / 1.59 MByte

STD10N60 数据手册

STD10N60M2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STD10N60DM2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N-沟道 600 V 0.53 Ohm 表面贴装 MDmesh™ DM2 功率 Mosfet - DPAK-3

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