器件3D模型

￥ 0.557

IRFH3707TR2PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PQFN-8

描述:

INFINEON IRFH3707TR2PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.0094 ohm, 10 V, 1.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFH3707TR2PBF 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页

IRFH3707TR2PBF 数据手册 (10 页)

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IRFH3707TR2PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PQFN-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0094 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.8 W

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

12A

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

755pF @15V(Vds)

下降时间

5.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2800 mW

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IRFH3707TR2PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3 mm

宽度

3 mm

高度

0.95 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRFH3707TR2PBF 符合标准

IRFH3707TR2PBF 概述

IRFH3707TR2PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.29 MByte

IRFH3707TR2PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.1 MByte

IRFH3707TR2PBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

4 页 / 0.07 MByte

IRFH3707TR2 数据手册

IRFH3707TR2PBF 数据手册

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IRFH3707TR2PBF 数据手册

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INFINEON IRFH3707TR2PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.0094 ohm, 10 V, 1.8 V

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