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IRFH5210TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PowerVDFN-8

描述:

INFINEON IRFH5210TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.0126 ohm, 10 V, 4 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFH5210TRPBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页

IRFH5210TRPBF 数据手册 (9 页)

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IRFH5210TRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerVDFN-8

额定功率

3.6 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0126 Ω

极性

N-Channel

功耗

104 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

10A

上升时间

9.7 ns

输入电容值(Ciss)

2570pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.6 W

下降时间

6.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.6W (Ta), 104W (Tc)

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IRFH5210TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRFH5210TRPBF 符合标准

IRFH5210TRPBF 概述

IRFH5210TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.23 MByte

IRFH5210TRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFH5210TRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFH5210TRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRFH5210TRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRFH5210 数据手册

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