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IRFH6200TR2PBF
5.573
IRFH6200TR2PBF 数据手册 (9 页)
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IRFH6200TR2PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PowerVDFN-8
极性
N-CH
功耗
3.6W (Ta), 156W (Tc)
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
45A
输入电容值(Ciss)
10890pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
3.6 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.6W (Ta), 156W (Tc)

IRFH6200TR2PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6 mm
宽度
5 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFH6200TR2PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.25 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
15 页 / 0.43 MByte

IRFH6200TR2 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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