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SI5441DC-T1 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

Pictures:

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SI5441DC-T1 数据手册 (6 页)

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SI5441DC-T1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

漏源极电阻

55.0 mΩ

极性

P-Channel

功耗

1.30 W

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

-3.90 A

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SI5441DC-T1 符合标准

SI5441DC-T1 数据手册

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