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IRFH7545TRPBF
0.587
IRFH7545TRPBF 数据手册 (10 页)
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IRFH7545TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
QFN-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0043 Ω
极性
N-Channel
功耗
83 W
阈值电压
3.7 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
85A
上升时间
26 ns
输入电容值(Ciss)
3890pF @25V(Vds)
下降时间
16 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
83W (Tc)

IRFH7545TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.15 mm
宽度
5.1 mm
高度
1.17 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFH7545TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.54 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.15 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte

IRFH7545 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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