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IRFS9N60APBF
1.882
IRFS9N60APBF 数据手册 (10 页)
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IRFS9N60APBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
极性
N-Channel
功耗
170 W
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
9.20 A
输入电容值(Ciss)
1400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
170 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
170 W

IRFS9N60APBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFS9N60APBF 数据手册

VISHAY(威世)
10 页 / 0.2 MByte
VISHAY(威世)
10 页 / 0.2 MByte
VISHAY(威世)
8 页 / 0.17 MByte

IRFS9N60 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFS9N60APBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 170W, D2-PAK
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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