IRFH7932TR2PBF

￥ 1.574

IRFH7932TR2PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PowerVDFN-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFH7932TR2PBF 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页

IRFH7932TR2PBF 数据手册 (10 页)

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IRFH7932TR2PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerVDFN-8

漏源极电阻

0.0025 Ω

极性

N-Channel

功耗

3.1 W

零部件系列

IRFH7932

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

24.0 A

输入电容值(Ciss)

4270pF @15V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

3.4W (Ta)

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IRFH7932TR2PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRFH7932TR2PBF 符合标准

IRFH7932TR2PBF 概述

IRFH7932TR2PBF 数据手册

IRFH7932TR2PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.3 MByte

IRFH7932TR2PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

IRFH7932TR2PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.1 MByte

IRFH7932TR2PBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

4 页 / 0.07 MByte

IRFH7932TR2 数据手册

IRFH7932TR2PBF 数据手册

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IRFH7932TR2PBF 数据手册

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