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FDMC86160ET100
1.255

FDMC86160ET100 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
Power-33-8
极性
N-CH
功耗
2.8W (Ta), 65W (Tc)
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
9A
输入电容值(Ciss)
1290pF @50V(Vds)
耗散功率(Max)
2.8W (Ta), 65W (Tc)

FDMC86160ET100 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FDMC86160ET100 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.29 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.49 MByte

FDMC86160 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC86160  晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 100 V, 0.0112 ohm, 10 V, 2.9 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86160, 9 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, 屏蔽栅极, N沟道, 43 A, 100 V, 0.0112 ohm, 10 V, 2.9 V
Fairchild(飞兆/仙童)
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