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IRFHM831TRPBF
器件3D模型
0.205
IRFHM831TRPBF 数据手册 (10 页)
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IRFHM831TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
QFN-8
额定功率
2.5 W
通道数
1 Channel
漏源极电阻
0.0066 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
阈值电压
1.8 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
14A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
1050pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
4.7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 27W (Tc)

IRFHM831TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.3 mm
宽度
3.3 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFHM831TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.46 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.21 MByte

IRFHM831 数据手册

Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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