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IRFI9620GPBF
0.58
IRFI9620GPBF 数据手册 (9 页)
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IRFI9620GPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
极性
P-Channel
漏源极电压(Vds)
-200 V
连续漏极电流(Ids)
-3.00 A
上升时间
27 ns
下降时间
19 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
30 W

IRFI9620GPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
长度
10.63 mm
宽度
4.83 mm
高度
16.12 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRFI9620GPBF 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 1.61 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 1.6 MByte

IRFI9620 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
P 通道 MOSFET,100V 至 400V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -200V , RDS(ON) = 1.5ohm ,ID = -3.0A ) Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.0A)
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