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IRFIZ34GPBF
1.726
IRFIZ34GPBF 数据手册 (8 页)
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IRFIZ34GPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.05 Ω
极性
N-Channel
功耗
42 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
20.0 A
上升时间
100 ns
输入电容值(Ciss)
1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
42 W
下降时间
52 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
42 W

IRFIZ34GPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
高度
9.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
最小包装数量
50

IRFIZ34GPBF 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 2.91 MByte
VISHAY(威世)
2 页 / 0.12 MByte

IRFIZ34 数据手册

Vishay Siliconix
Infineon(英飞凌)
Samsung(三星)
Fairchild(飞兆/仙童)
Vishay Intertechnology
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFIZ34NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 4 V
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFIZ34GPBF  场效应管, MOSFET, N沟道
International Rectifier(国际整流器)
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