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IRFIZ44NPBF
0.686
IRFIZ44NPBF 数据手册 (9 页)
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IRFIZ44NPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
38 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.024 Ω
极性
N-Channel
功耗
38 W
阈值电压
4 V
输入电容
1300 pF
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55 V
连续漏极电流(Ids)
31A
上升时间
69 ns
输入电容值(Ciss)
1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
45 W
下降时间
60 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
45W (Tc)

IRFIZ44NPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
15.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFIZ44NPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.25 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
38 页 / 1.06 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.06 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.12 MByte

IRFIZ44 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFIZ44NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 55 V, 24 mohm, 10 V, 4 V
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
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