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ADG919BRMZ
器件3D模型
0.24
ADG919BRMZ 数据手册 (16 页)
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ADG919BRMZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
2000 MHz
引脚数
8 Pin
电源电压
1.65V (min)
封装
MSOP-8
输出接口数
2 Output
供电电流
100 nA
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
位数
1 Bit
功耗
2.50 µW
带宽
4 GHz
测试频率
1 GHz
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
1.65V ~ 2.75V
电源电压(Max)
2.75 V
电源电压(Min)
1.65 V

ADG919BRMZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
3 mm
宽度
3 mm
高度
0.85 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃
厚度
850 µm

ADG919BRMZ 数据手册

ADI(亚德诺)
16 页 / 0.49 MByte
ADI(亚德诺)
4 页 / 0.12 MByte
ADI(亚德诺)
17 页 / 0.62 MByte
ADI(亚德诺)
21 页 / 2.08 MByte

ADG919 数据手册

ADI(亚德诺)
宽带, 43分贝隔离1GHz的CMOS 1.65 V至2.75V , 2 : 1多路复用器/ SPDT开关 Wideband, 43dB Isolation 1GHz, CMOS 1.65 V to 2.75V, 2:1 Mux/SPDT Switches
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADG919BRMZ  芯片, 高频开关, 4GHz
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADG919BCPZ-REEL7  芯片, 射频开关, 2:1多路复用器/SPDT, 2GHZ, LFCSP-8
ADI(亚德诺)
射频开关-IC-通用-SPDT-2GHz-8-MSOP
ADI(亚德诺)
宽带, 43分贝隔离1GHz的CMOS 1.65 V至2.75V , 2 : 1多路复用器/ SPDT开关 Wideband, 43dB Isolation 1GHz, CMOS 1.65 V to 2.75V, 2:1 Mux/SPDT Switches
ADI(亚德诺)
宽带4 GHz的43 dB的隔离在1 GHz , CMOS 1.65 V至2.75 V, 2 : 1多路复用器/ SPDT Wideband 4 GHz, 43 dB Isolation at 1 GHz, CMOS 1.65 V to 2.75 V, 2:1 Mux/SPDT
ADI(亚德诺)
宽带4 GHz的43 dB的隔离在1 GHz , CMOS 1.65 V至2.75 V, 2 : 1多路复用器/ SPDT Wideband 4 GHz, 43 dB Isolation at 1 GHz, CMOS 1.65 V to 2.75 V, 2:1 Mux/SPDT
ADI(亚德诺)
ADI(亚德诺)
宽带4 GHz的43 dB的隔离在1 GHz , CMOS 1.65 V至2.75 V, 2 : 1多路复用器/ SPDT Wideband 4 GHz, 43 dB Isolation at 1 GHz, CMOS 1.65 V to 2.75 V, 2:1 Mux/SPDT
ADI(亚德诺)
宽带4 GHz的43 dB的隔离在1 GHz , CMOS 1.65 V至2.75 V, 2 : 1多路复用器/ SPDT Wideband 4 GHz, 43 dB Isolation at 1 GHz, CMOS 1.65 V to 2.75 V, 2:1 Mux/SPDT
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