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IRFL024NTRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

INFINEON IRFL024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFL024NTRPBF 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

IRFL024NTRPBF 数据手册 (8 页)

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IRFL024NTRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-261-4

额定功率

2.1 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.075 Ω

极性

N-Channel

功耗

1 W

阈值电压

4 V

输入电容

400 pF

漏源极电压(Vds)

55 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

13.4 ns

输入电容值(Ciss)

400pF @25V(Vds)

下降时间

17.7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1W (Ta)

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IRFL024NTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6.7 mm

宽度

3.7 mm

高度

1.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRFL024NTRPBF 符合标准

IRFL024NTRPBF 概述

IRFL024NTRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.13 MByte

IRFL024NTRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFL024NTRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFL024NTRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRFL024NTRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRFL024NTRPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.16 MByte

IRFL024 数据手册

IRF

功率MOSFET （ VDSS = 55V ， RDS（ON） = 0.075ohm ，ID = 2.8A ） Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=2.8A)

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INFINEON IRFL024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V

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Infineon（英飞凌）

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。

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