器件3D模型

￥ 0.599

NIS5112D1R2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

TVS二极管

封装:

SOIC-8

描述:

ON Semiconductor集成电源电源设备，具有热保护无需外部分流器 9V 至 18V 输入范围内部电荷泵电阻器设置电流限度打开时，电容器对输出转换速率进行编程（仅限 NIS5132） ### 电压和电流管理，On Semiconductor

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3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NIS5112D1R2G 数据手册 (9 页)

引脚图在2 页Hot

封装尺寸在9 页

典型应用电路图在1 页 4 页

原理图在1 页 8 页

NIS5112D1R2G 数据手册 (9 页)

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NIS5112D1R2G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

电源电压

9.00V (min)

封装

SOIC-8

无卤素状态

Halogen Free

输入电压(DC)

12.0 V

输出电流

2 A

电路数

1 Circuit

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

电源电压(Max)

18 V

电源电压(Min)

9 V

输入电压

9V ~ 18V

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NIS5112D1R2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-40℃ ~ 175℃

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NIS5112D1R2G 符合标准

NIS5112D1R2G 海关信息

NIS5112D1R2G 概述