Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > IRFL210TRPBF Datasheet 文档
IRFL210TRPBF
0.374
IRFL210TRPBF 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFL210TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
TO-261-4
漏源极电阻
1.5 Ω
功耗
3.1 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
200 V
输入电容值(Ciss)
140pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2W (Ta), 3.1W (Tc)

IRFL210TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFL210TRPBF 数据手册

Vishay Siliconix
8 页 / 0.16 MByte
Vishay Siliconix
8 页 / 0.16 MByte
Vishay Siliconix
2 页 / 0.04 MByte

IRFL210 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
N沟道,200V,0.96A,1.5Ω@10V
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON) = 1.5ohm ,ID = 0.96A ) Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=0.96A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFL210PBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 960 mA, 200 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 V
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRFL210 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z