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IRFP054NPBF
2.018
IRFP054NPBF 数据手册 (9 页)
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IRFP054NPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
额定功率
130 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.012 Ω
极性
N-Channel
功耗
130 W
阈值电压
4 V
输入电容
2900 pF
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55 V
连续漏极电流(Ids)
81A
上升时间
66 ns
输入电容值(Ciss)
2900pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
170 W
下降时间
46 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
170W (Tc)

IRFP054NPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
高度
20.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFP054NPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 1.45 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.03 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.12 MByte

IRFP054 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(ON) = 0.014ohm ,ID = 70 * A) Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
Vishay Intertechnology
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,55V,81A,12mΩ@10V
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