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IRFP150N
0.482

IRFP150N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
42.0 A
封装
TO-247
漏源极电阻
36.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
140 W
零部件系列
IRFP150N
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
42.0 A
上升时间
56.0 ns
耗散功率(Max)
160 W

IRFP150N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk

IRFP150N 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.12 MByte
International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.17 MByte
International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.13 MByte

IRFP150 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IXYS Semiconductor
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Harris
N沟道 100V 41A
Fairchild(飞兆/仙童)
先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
ST Microelectronics(意法半导体)
Samsung(三星)
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