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IRFP260MPBF
器件3D模型
0.563
IRFP260MPBF 数据手册 (8 页)
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IRFP260MPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
额定功率
300 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.04 Ω
极性
N-Channel
功耗
300 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
50A
上升时间
60 ns
输入电容值(Ciss)
4057pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
300 W
下降时间
48 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

IRFP260MPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
16.13 mm
宽度
5.2 mm
高度
21.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFP260MPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.62 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte

IRFP260 数据手册

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Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
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Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFP260NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 50A, TO-247AC 新
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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