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IRFP064VPBF
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IRFP064VPBF 数据手册 (8 页)
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IRFP064VPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
5.5 mΩ
极性
N-CH
功耗
250 W
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
连续漏极电流(Ids)
130A
上升时间
200 ns
输入电容值(Ciss)
6760pF @25V(Vds)
下降时间
150 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
250W (Tc)

IRFP064VPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
高度
20.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFP064VPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.21 MByte
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.58 MByte

IRFP064 数据手册

Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(ON) = 0.009ohm ,ID = 70 * A) Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFP064NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFP064NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 110A, TO-247AC 新
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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