IRFP3415PBF

￥ 1.566

IRFP3415PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

INFINEON IRFP3415PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFP3415PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRFP3415PBF 数据手册 (9 页)

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IRFP3415PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

额定功率

200 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.042 Ω

极性

N-Channel

功耗

200 W

阈值电压

4 V

输入电容

2400 pF

漏源极电压(Vds)

150 V

漏源击穿电压

150 V

连续漏极电流(Ids)

43A

上升时间

55 ns

热阻

0.75℃/W (RθJC)

输入电容值(Ciss)

2400pF @25V(Vds)

下降时间

69 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200W (Tc)

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IRFP3415PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

15.87 mm

宽度

5.31 mm

高度

20.7 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFP3415PBF 符合标准

IRFP3415PBF 概述

IRFP3415PBF 数据手册

IRFP3415PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.15 MByte

IRFP3415PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFP3415PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFP3415PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRFP3415PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRFP3415PBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.03 MByte

IRFP3415PBF 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.12 MByte

IRFP3415 数据手册

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