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IRFP90N20DPBF
1.892
IRFP90N20DPBF 数据手册 (9 页)
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IRFP90N20DPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
94.0 A
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
23 mΩ
极性
N-Channel
功耗
580 W
零部件系列
IRFP90N20D
阈值电压
5 V
输入电容
6040pF @25V
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
连续漏极电流(Ids)
94.0 A
上升时间
160 ns
热阻
0.26℃/W (RθJC)
输入电容值(Ciss)
6040pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
580 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRFP90N20DPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
15.87 mm
高度
20.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRFP90N20DPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.18 MByte
International Rectifier(国际整流器)
20 页 / 2.6 MByte
International Rectifier(国际整流器)
3 页 / 0.03 MByte

IRFP90N20 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFP90N20DPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 200 V, 23 mohm, 10 V, 5 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFP90N20DPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 94A, TO-247AC 新
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON)最大值= 0.023ohm ,ID = 94A ) Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.023ohm, Id=94A)
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