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IRFPC60LCPBF
3.703
IRFPC60LCPBF 数据手册 (9 页)
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IRFPC60LCPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247-3
功耗
280W (Tc)
漏源极电压(Vds)
600 V
输入电容值(Ciss)
3500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
280 W
耗散功率(Max)
280W (Tc)

IRFPC60LCPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFPC60LCPBF 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 0.64 MByte
Vishay Siliconix
1 页 / 0.12 MByte

IRFPC60 数据手册

Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON) = 0.40ohm ,ID = 16A) Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.40ohm, Id=16A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFPC60PBF  场效应管, MOSFET, N沟道
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
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